соединения фосфора с более электроположит. элементами. По типу хим. связи Ф. подразделяют на соед. с преим. ионной связью, металлоподобные и с преим. ковален-тной связью. К ионным относятся Ф. щелочных и щел.-зем. элементов и металлов подгруппы цинка. Эти Ф. легко гидролизуются водой, хорошо раств. в к-тах с выделением PH3, сгорают в токе O2 с образованием оксидов металлов и P, реагируют с галогенами. Нек-рые из них обладают полупроводниковыми св-вами из-за того, что в межатомной связи присутствует определенная доля ковалентной составляющей. Металлоподобные Ф. образуют гл. обр. переходные металлы, в т. ч. РЗЭ. Их состав, как правило, не соответствует валентностям образующих их элементов. Эти Ф. тугоплавки, устойчивы к действию воды и K-T. Их хим. стойкость растет с увеличением содержания P. Так, Ni3P, Cr3P, Fe3P, Ti3P легко разлагаются к-тами-окислителями (H2SO4, HNO3, HClO4), а также щелочами. В то же время Ф. состава TiP, VP, TaP, CrP, FeP, MnP не взаимод. с конц. соляной к-той и к-тами-окислителями. Они раств. при нагр. в царской водке. Все металлоподобные Ф. разлагаются смесью HF и HNO3 и при сплав-лении с щелочами и пероксидами металлов. Многие из них -полупроводники благодаря тому, что в хим. связь вносит определенный вклад ковалентная составляющая.
Ковалеитные Ф. образуются непереходными элементами III и IV гр. периодич. системы (кроме Tl). Они тугоплавки, их хим. стойкость к воде и др. агрессивным средам сильно зависит от чистоты образца. Особенно устойчивы высоко чистые в-ва. Все твердые ковалентные Ф.- полупроводники, ширина запрещенной зоны к-рых тем больше, чем выше доля ионной связи в них. Типичные полупроводниковые Ф. этой группы представляют собой координац. соед., в к-рых помимо простых ковалентных связей присутствуют донор-но-акцепторные связи. При этом атом P - донор, а атомы более электроположит. элемента - акцепторы электронной пары.
Ф. полуметаллов и неметаллов также гл. обр. ковалентные соед. Они м. б. газами (напр., PH3), твердыми в-вами; по электрофиз. св-вам - диэлектриками или полупроводниками. Типичный диэлектрик - BP. Он устойчив к действию к-т-окислителей и щелочей. Другие Ф. этой группы, напр. AlP и SiP, не обладают большой стойкостью к действию хим. реагентов.
Св-ва нек-рых Ф. представлены в табл. Ф. активных металлов - солеобразные в-ва, Ф. металлов подгруппы Zn, у к-рых полностью заполнены ( п Ч1)d-орбитали,- полупроводники. В случае переходных металлов с незаполненными полностью ( пЧ1)d-орбиталями Ф. могут быть как полупроводниками, так и металлоподобными. Для последних характерно относительно меньшее содержание P в формульной единице. При этом ферромагн. металлы могут образовывать и ферромагн. Ф., напр. Fe3P и CoP. Типичные полупроводники - Ф. элементов групп Ша и IVa (GaP, InP, SiP, GeP).
СВОЙСТВА НЕКОТОРЫХ ФОСФИДОВ | ||||||
Соединение | Сингония | T. пл., 0C | кДж/моль | Ширина запрещенной зоны, эВ | ||
K3P а.. ...... | Гексагон. | Разлагается | Ч | Ч | ||
Mg3P а...... | Кубич. | Разлагается | -254,3 | Ч | ||
Zi3P2 б....... | Тетрагон. | 883 | -194,9 | 1,15 | ||
Cd3P2 б...... | " | 739 | -155,2 | 0,58 | ||
Cu3P в. | Гексагон. | 1022 | -150,6 | Ч | ||
CuP2 б....... | Моноклинная | 891 | -121,3 | 1,4 | ||
BP г......... | Кубич. | 2250 | -395,7 | 4,5 | ||
GaP б ....... | " | 1465 | -102,5 | 2,25 | ||
InP б . | " | 1062 | -84,5 | 1,28 | ||
SiP б. ........ | Ромбич. | 1170 | -79,1 | 2,4 | ||
GeP б........ | Моноклинная | 725 | -175,4 | 1,0 | ||
TiP в. ........ | Гексагон. | 1990 е | -282,8 | Ч | ||
Cr3P в. ....... | Тетрагон. | 1510 | Ч | Ч | ||
CrP б........ | Ромбич. | 1600 | Ч | 0,8 | ||
MnP б | " | 1147 е | Ч | 1,1 | ||
Mn3P в. ...... | Тетрагон. | 1105 | Ч | Ч | ||
FeP б........ | Ромбич. | Ч | -121,3 | 1,0 | ||
Fe3P д ....... | Тетрагон. | 1166 е | -164,0 | Ч | ||
CoP д | Ромбич. | 1520 | -146,4 | Ч | ||
Co2P в....... | " | 1386 | -196,2 | Ч | ||
Ni3P в ....... | Тетрагон. | 1025 | -219,2 | Ч | ||
Ni2P в ....... | Гексагон. | 1106 | -184,1 | Ч | ||
ZnGeP2 б..... | Тетрагон. | 1250 | Ч | 2,2 | ||
CdSiP2 б..... | " | 1200 | Ч | 1,8 | ||
а Солеобразен. б Полупроводник. в Металлоподобен. г > Диэлектрик. д Ферромагнетик. е С разложением.
Осн. метод получения Ф.- синтез из простых в-в в вакууме, атмосфере инертного газа или под давлением паров P. Можно также получать Ф. взаимод. PH3 с металлами или их оксидами, карботермич. восстановлением фосфатов, обменной фосфи-дизацией (р-ция металла или его хлорида с др. Ф.) и т. д. Наиб. практич. применение нашли галлия фосфид и индия фосфид как полупроводниковые и оптоэлектронные материалы. SiP используют для легирования монокристаллов Si. Перспективные полупроводниковые материалы - тройные Ф., напр. ZnSiP2, CdGeP2. Соед. Cu3P применяют как раскислитель в произ-ве бронз, для пайки латуни вместо серебряного припоя.
Zn3P2 и Cu3P - полупроводниковые материалы, Zn3P2 - также зооцид. Ф. железа и Ni употребляют для создания износостойких покрытий на деталях машин. Благодаря самопроизвольному выделению горючих фосфинов во влажном воздухе Mg3P2 и Ca3P2 являются компонентами спец. сигнальных устройств и пиротехн. составов. Ф. токсичны из-за выделения PH3.
ПДК для Cu3P 0,5 мг/м 3, для Zn3P2 0,1 мг/м 3.
Лит.: Самсонов Г. В., Верейкина Л. Л., Фосфиды, К., 1961; Кри-сталлохимические, физико-химические и физические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, M., 1973; Угай Я. А., Введение в химию полупроводников, 2 изд., M., 1975; Гончаров E. Г., Полупроводниковые фосфиды и арсениды кремния и германия, Воронеж, 1989. Я. А. Угай.
Химическая энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия. Под ред. И. Л. Кнунянца. 1988.