Akademik

m=vдр/E. (1)

У разных типов носителей в одном и том же в-ве m различны, а в анизотропных кристаллах различны m каждого типа носителей для разных направлений поля Е. Подвижность эл-нов проводимости и дырок определяется процессами рассеяния эл-нов в кристалле. Рассеяние происходит на дефектах кристаллич. решётки, а также на её тепловых колебаниях (фононах). Испуская или поглощая фонон, носитель изменяет свой квазиимпульс, а, следовательно, и скорость. Поэтому m сильно зависит от темп-ры. При комнатных темп-pax (Т»300 К), как правило, преобладает рассеяние на фононах, с понижением темп-ры вероятность этого процесса падает, и доминирующим становится рассеяние на дефектах (особенно заряженных), вероятность к-рого растёт с уменьшением энергии носителей.

Ср. дрейфовая скорость vдр равна: удр=еEt/m*, где е — заряд, m* — эффективная масса, t— интервал времени между двумя последоват. актами рассеяния (в р е м я с в о б о д н о г о п р о б е г а). Отсюда:

m=еt/m*. (2)

П. н. т. в тв. проводниках варьируется в широких пределах — от 105 см2/с до 10-3 см2/с и меньше при T=300 К. В переменном электрич. поле vдр может не совпадать по фазе с напряжённостью поля Е, и тогда П. н. т. будет зависеть от частоты поля.