Akademik

Рис. 1. Осесимметричные двухэлектродные электронные зеркала: V1 и V2 — потенциалы электродов. Тонкие линии — сечения эквипотенциальных поверхностей плоскостью рисунка. Линии со стрелками — траектории эл-нов с разной энергией. Зеркала а и б всегда рассеивающие. Зеркала в, г и 9 могут быть как рассеивающими, так и собирающими.

Электростатич. осесимметричные Э. з. (рис. 1) используют для создания правильных электронно-оптич. изображений объектов. Если последний электрод такого Э. з. сплошной и эл-ны меняют направление движения непосредственно вблизи его поверхности, то можно получить увеличенное изображение микрорельефа этой поверхности.

Рис. 2. Электростатич. цилиндрич. электронное зеркало: 1 и 2 — электроды с потенциалами V1 и V2.

В зеркальном электронном микроскопе используется именно это св-во Э. з. Цилиндрические Э. з. с двумерным электрич. (рис. 2) или магн. полем (напряжённость поля внутри зеркала не зависит от координаты х) применяют для изменения направления электронных пучков, причём для эл-нов, движущихся в ср. плоскости зеркала, угол падения равен углу отражения, как и при отражении луча света от оптич. зеркала. Т. н. трансаксиальные Э. з. (рис. 3) отличаются малыми аберрациями (погрешностями изображений) в направлении, параллельном средней плоскости Э. з.

Рис. 3. Электростатич. трансаксиальное электронное зеркало: 1 и 2 — электроды с потенциалами V1 и V2; R — радиус кривизны зазора между электродами.