Akademik

НОСИТЕЛЕЙЗАРЯДА в электронных Проводниках - отношение скорости направленного движения носителей заряда - электронов проводимости и дырок (дрейфовой скорости v _др), вызванного электрич. полем, к напряжённости Е этого поля:

Дрейфовая скорость и, следовательно, П. н. з. ограничиваются процессами их рассеяния, к-рое происходит на дефектахкристаллич. решётки (гл. обр. на примесных атомах), а также на тепловых колебанияхкристаллической решётки (испуская или поглощая фонон, электронизменяет свой квазиимпульс, а следовательно и скорость v _др).Поэтому П. н. з. зависит от темп-ры Т. С понижением Т доминирующимстановится рассеяние на заряж. дефектах, вероятность к-рого растёт с уменьшениемэнергии носителей.
Ср. дрейфовая скорость где т - эффективная масса носителей, е- их заряд,- время релаксации импульса (транспортное время). Отсюда:

Проводимость кристалла связана с П. н. з. соотношением

где п - концентрация носителей. Понятие П. н. з. играет важную роль при описании свойств полупроводников илидр. проводников, в к-рых n зависит от Т, т. к. позволяетразделить вклады в температурной зависимости возникающие из изменения п с темп-рой, и температурной зависимостивероятности рассеяния носителей заряда.
П. н. з. при Т -300 К варьируетсяв пределах от 10⁵ до 10^-3 см ²/В х с. Вслабом электрнч. поле подвижность У разных типов носителей в одном и том веществе различны, а в анизотропных кристаллах зависит от направления поля Е относительно кристаллографич. осей. В сильных электрич. полях ср. энергия электронов превышает равновесную и растёт с ростом поля Е. При этом и, следовательно,также начинают зависеть от поля Е (см. Горячие электроны).

Лит.: Блатт Ф. - Дж., Теория подвижностиэлектронов в твердых телах, пер. с англ., М. - Л., 1963; Гантмахер В. Ф.,Левинсон И. Б., Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках, М., 1984.