Akademik

- проводимость полупроводника, при к-рой осн. вклад в перенос заряда дают электроны (дырки), термически возбуждённые в зону проводимости (валентную зону) из локализованных в запрещённой зоне донорных (акцепторных) состояний (проводимость n -типа и р -типа). П. п. определяется концентрацией донорных и акцепторных примесей и положением их уровней в запрещённой зоне. При высоких темп-pax Т, если полупроводник невырожден, концентрация n_i носителей в собственном полупроводнике (см. Собственная проводимость )удовлетворяет условию наличие примесей незначительно сказывается на концентрациях электронов n и дырок р:

При этом все примеси ионизованы, а уровень Ферми близок к середине запрещённой зоны. При более низких темп-pax, для к-рых почти все мелкие примеси остаются еще ионизованными (область истощения). В этом случае

т. е. концентрация осн. носителей не зависит от Т. При дальнейшем понижении Тприближается к уровню донорной примеси, и заселённость донорных уровней будет расти за счёт поступления электронов из зоны проводимости, а концентрация зонных носителей заряда соответственно уменьшаться. При ТОК концентрации зонных носителей убывают экспоненциально, в этом пределе доминирует прыжковая проводимость.

Лит. см. при ст. Полупроводники.. И. Л. Бейнихес.