Akademik

технология нанесения тонких пленок, основанная на последовательном использовании самоограниченных химических реакций в газовой фазе для точного контроля толщины нанесенного слоя

В большинстве технологий осаждения атомных слоев используют два химических соединения, которые называют прекурсорами. Эти прекурсоры реагируют с поверхностью поочередно, сначала один, затем другой, что приводит к формированию тонкой пленки.

Технология осаждения атомных слоев, изначально названная эпитаксия атомных слоев, была открыта в 1977 году Туомо Сунтола (Tuomo Suntola) в университете г. Хельсинки в Финляндии. Эта технология во многом похожа на химическое осаждение из газовой фазы. Отличие состоит в том, что в технологии осаждения атомных слоев используют две отдельные химические реакции, в которых прекурсоры не соприкасаются. Разделение прекурсоров обеспечивается продувкой азотом или аргоном. Поскольку используются самоограниченные реакции, суммарная толщина слоев определяется не продолжительностью реакции, а количеством циклов, и толщину каждого слоя удается контролировать с очень высокой точностью.

Технология осаждения атомных слоев используется для нанесения пленок нескольких типов, включая пленки различных оксидов (Al₂O₃, TiO₂, SnO₂, ZnO, HfO₂), нитридов (TiN, TaN, WN, NbN), металлов (Ru, Ir, Pt) и сульфидов (например, ZnS). К сожалению, пока не существует достаточно дешевых технологий выращивания таких технологически важных материалов, как Si, Ge, Si₃N₄, некоторых многокомпонентных оксидов.

• Наймушина Дарья Анатольевна
• Саранин Александр Александрович, д.ф.-м.н.

1. Atomic layer deposition / Wikipedia, the Free Encyclopedia URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Atomic_layer_deposition
2. Atomic layer epitaxy / Wikipedia, the Free Encyclopedia URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Atomic_layer_epitaxy