Akademik

Широко распространена технология анодирования алюминия, титана, тантала, ниобия, кремния, германия, арсенида галлия. Обычно анодирование проводят при постоянном токе в гальваностатическом или потенциостатическом режиме.

В зависимости от вида кислородсодержащей среды, заполняющей межэлектродное пространство, различают анодирование в водных растворах электролитов, в расплавах солей, в газовой плазме, а также плазменно-электролитическое оксидирование.

При анодировании в газовой плазме оксид образуется в результате диффузии анионов кислорода из плазмы. При анодировании в водных растворах продукт представляет собой ориентированный электрическим полем полимеризованный гель оксида металла. Низкотемпературная плазма, образующаяся в непосредственной близости от металла под оксидом, является источником анионов кислорода, необходимых для образования оксида.

В электронной промышленности анодирование в водных растворах электролитов широко применяется при производстве конденсаторов (электролитических, оксидно-полупроводниковых , оксидно-металлических).

Анодирование в расплавах солей применяют для получения оксидных пленок повышенной толщины и микротвердости, в частности, на поверхности меди и железа.

Анодирование в газовой плазме широко применяют в микроэлектронике, так как процесс технологически хорошо совместим с остальными операциями интегральной технологии в едином вакуумном цикле, а также для получения тонкопленочных элементов с туннельным диэлектриком (элементы Джозефсона, триоды с металлической базой, оптоэлектронные элементы), диэлектрика конденсаторов, пассивации поверхности интегральных схем и межкомпонентной изоляции.

Комбинация уникальной пористой структуры (прямые поры управляемого диаметра) с высокой температурной, механической и химической стабильностью делает пленки анодированного оксида алюминия привлекательным материалом для различных применений в области фильтрации и разделения смесей, хранения информации, в сенсорике и для синтеза одномерных наноструктур.