Akademik

микроскопия медленных электронов
Термин
микроскопия медленных электронов
Термин на английском
low-­energy electron microscopy
Синонимы
Аббревиатуры
LEEM
Связанные термины
электронная микроскопия, электронный микроскоп, модель поверхности Si(111)7x7
Определение
вид микроскопии, в которой для формирования изображения поверхности твердого тела используют упруго отраженные электроны низких энергий.
Описание
Микроскопия медленных электронов была изобретена Э. Бауэром (Ernst Bauer) в начале 1960-х годов и стала достаточно широко использоваться в исследованиях поверхности, начиная с 1980-х годов. В микроскопе первичные электроны низких энергий (обычно до 100 эВ) попадают на исследуемую поверхность, а отраженные электроны используются для формирования фокусированного увеличенного изображения поверхности. Пространственное разрешение такого микроскопа составляет десятки нм. Контраст изображения обусловлен вариацией отражательной способности поверхности по отношению к медленным электронам из-за различия в ориентации кристалла, поверхностной реконструкции, покрытия адсорбатом. Так как микроскопические изображения могут быть получены очень быстро, микроскопия медленных электронов часто используется для изучения динамических процессов на поверхности, таких как рост тонких пленок, травление, адсорбция и фазовые переходы в реальном масштабе времени. В качестве примера на рис.1 показано микроскопическое изображение поверхности Si(111) в ходе фазового перехода от реконструкции 7x7 к реконструкции 1x1, происходящего при температуре 860 оС.
Авторы
  • Зотов Андрей Вадимович, д.ф.-м.н.
  • Саранин Александр Александрович, д.ф.-м.н.
Ссылки
  1. Введение в физику поверхности: Пер. с англ. / Оура Кендзиро, Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. - М. Наука, 2006. - 490 с.
  2. Tromp R.M. Low energy electron microscopy // IBM J. Res. and Develop. - Vol. 44, 2000 - P. 503-516
Иллюстрации
Рис. 1. Изображение в микроскопе медленных электронов фазового перехода от реконструкции 7х7 к

Рис. 1. Изображение в микроскопе медленных электронов фазового перехода от реконструкции 7х7 к реконструкции 1х1 на поверхности Si(111). Фаза 7х7 (светлые участки) декорирует атомные ступени, тогда как поверхность террас в основном покрыта структурой 1х1 (темные участки). Размер поля изображения 5 мкм.  


Источник: Tromp R.M. Low energy electron microscopy // IBM J. Res. and Develop. - Vol. 44, 2000 - P. 503-516

Теги
Разделы
Электронная спектроскопия
(Источник: «Словарь основных нанотехнологических терминов РОСНАНО»)

Энциклопедический словарь нанотехнологий. — Роснано. 2010.