Akademik

растровый электронный микроскоп (РЭМ)
[scanning electron microscope (SEM)] — микроскоп, в котором изображение формируется при сканировании (развертывании), т. е. последовательном от точки к точке перемещении тонкого электронного луча (зонда) по поверхности массивного образца. Первые РЭМ были созданы в Германии (фон Ардене, 1938 г.) и США (В. К. Зворыкин, 1942 г.). К середине 1960-х гг. РЭМ (рис.) достигли высокого технического совершенства, и с этого времени по темпам развития и количеству моделей РЭМ опережают ПЭМ. В настоящее время РЭМ — один из наиболее универсальных приборов для микроструктурных исследований в металле- и материаловедении. РЭМ с накаливаемым катодом имеет PC от 7 до 20 нм. Ускоряющее напряжение в РЭМ можно регулировать от 1 до 30 — 50 кВ. Современные РЭМ условно подразделяют, как и ПЭМ, на три группы: РЭМ высокого разрешения (1,5—2 нм), универсальные (PC 3—6 нм) и упрощенные (PC 7—20 нм). Наиболее распространены универсальные РЭМ, т.к. имеют хорошую PC и широкий набор детекторов, устройств для воздействия на объект исследования, обработки и представления информации.

Растровый <a href=электронный микроскоп">
Эффекты, возникающие при взаимодействии электронного пучка с веществом и используемые для формирования изображения в РЭМ: 1 — электронный пучок; 2 — образец; 3 - отраженные электроны; 4 - вторичные электроны; 5 - ток поглощенных электронов; 6 — катодолюминисценция; 7- рентгеновское излучение; 8- оже-электроны; 9— наведенный ток; 10 - прошедшие электроны

Смотри также:
Микроскоп
эмиссионный электронный микроскоп
электронный микроскоп
световой микроскоп
ионный микроскоп
просвечивающий растровый электронный микроскоп (ПРЭМ)
автоионный микроскоп (ионный проектор)


Энциклопедический словарь по металлургии. — М.: Интермет Инжиниринг. . 2000.